进口原装CY7C1312KV18-300BZXC存储器

发布时间：2019-03-08 06:13:42

星际金华进口原装CY7C1312KV18-300BZXC存储器！！！

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产品信息
品牌：CYPRESS
型号：CY7C1312KV18-300BZXC
批号：1737+
封装：BGA

规格

存储器类型易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步，QDR II

存储容量 18Mb （1M x 18）

时钟频率 300MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口并联

电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型表面贴装

封装/外壳 165-LBGA

供应商器件封装 165-FBGA（13x15）

特点:

分开***的读取和写入数据端口

支持并发事务

333 MHz时钟实现高带宽

在所有访问双字突发

双倍数据速率（ DDR ）的读取和写入端口接口

（在666 MHz的数据传输），在333 MHz的

两个输入时钟（ K和K ）用于***DDR定时

SRAM仅使用上升沿

两个输入时钟的输出数据（ C和C ），以减少时钟

偏差和飞行时间的不匹配

在高速路时钟（ CQ和CQ ）简化了数据采集

系统

单复用地址输入总线锁存地址输入

为读写端口

单独的端口选择深度扩张

同步内部自定时写入

II工作在1.5周期读延迟时， DOFF是

置为高电平

操作类似于QDR I设备与一个周期读延迟

当DOFF为低电平

可在× 8 ，× 9 ，× 18和× 36配置

完整的数据一致性，提供***新的数据

同时支持1.5 V和1.8 V的I / O供电

可在165球FBGA封装（ 13 × 15 × 1.4毫米）

提供两种无铅和无无铅封装

可变驱动HSTL输出缓冲器

JTAG 1149.1兼容的测试访问端口

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